| 主权项 |
1.一种形成牺牲氧化层之方法,其特征在于利用乾氧制程执行两阶段氧化程序,其中该两阶段氧化程序分别为第一阶段氧化程序与第二阶段氧化程序,且具有不同温度,以使产品因前段制程所造成之晶格错排得以修复。2.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第一阶段氧化程序之温度控制范围为摄氏温度900-950度。3.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第一阶段氧化程序之氮气范围为3-7 SLM。4.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第一阶段氧化程序之氧气范围为0.7-1.3 SLM。5.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第一阶段氧化程序之形成氧化层厚度控制为50-100埃。6.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第二阶段氧化程序之温度控制范围为摄氏温度为1050-1150度。7.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第二阶段氧化程序之氧气范围为0.3-0.7 SLM。8.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第二阶段氧化程序之氮气范围为7-13 SLM。9.如申请专利范围第1项之形成牺牲氧化层之方法,其中上述第二阶段氧化程序之形成氧化层厚度控制为50-100埃。图式简单说明:图一所示为利用本发明所制作二阶段牺牲氧化层的0.25um逻辑产品良率实验数据。图二所示为利用本发明所制作二阶段牺牲氧化层之0.15um逻辑产品良率实验数据。图三所示为利用本发明所制作二阶段牺牲氧化层的0.18um逻辑产品之良率实验数据。 |
