发明名称 一种纳米间隙电极的制备方法
摘要 一种纳米间隙电极制备方法,步骤如下:在不受电子束破坏的纳米材料上制备具有较大间隙的电极对;在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的原料分子;将电子束聚焦在电极对的间隙区域;当电极间隙达到所需的宽度时,停止电子束照射,制备得到纳米间隙电极。本发明与传统的方法相比,可以在制备过程中原位观察电极间隙,从而可以精确控制纳米间隙电极的间隙。同时操作方便,简易可行,成功率高,有利于提高纳米间隙电极的制备效率,制备的纳米间隙电极的间隙范围很大,可以为2纳米至100纳米,这对于纳米以及分子器件的制备和应用有非常重要的意义。
申请公布号 CN101226879A 申请公布日期 2008.07.23
申请号 CN200710062832.6 申请日期 2007.01.18
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 刘云圻;魏大程;曹灵超;李祥龙;王钰;张洪亮;石大川;于贵
分类号 H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L21/28(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周长兴
主权项 1.一种纳米间隙电极制备方法,其具体步骤如下:a)在不受电子束破坏的纳米材料上制备具有较大间隙的电极对;b)在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的原料分子;c)将电子束聚焦在电极对的间隙区域;d)当电极间隙达到所需的宽度时,停止电子束照射,制备得到纳米间隙电极。
地址 100080北京市海淀区中关村北一街2号
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