| 发明名称 | 低涡流真空容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及低涡流真空容器及其制造方法。一种真空容器组件(70)包括由在内部基本不产生涡流的材料形成的内圆筒(74)和外圆筒(72)。该内圆筒(74)包括第一半部(78)和第二半部(80)，在这两个半部上具有环形凸缘(76)。多个金属接口(82，84，86)连接到内圆筒(74)和外圆筒(72)。该多个金属接口(82，84，86)使内圆筒(74)的第一半部(78)和第二半部(80)结合，并且使内圆筒(74)和外圆筒(72)结合。 | ||
| 申请公布号 | CN101191827A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710196074.7 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | X·黄;P·S·汤普逊 |
| 分类号 | G01R33/20(2006.01);G01R33/28(2006.01);G01R33/42(2006.01);G01R33/421(2006.01);G01R33/422(2006.01) | 主分类号 | G01R33/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王小衡 |
| 主权项 | 1.一种磁共振成像(MRI)系统(10)，包括：用于产生磁场的至少一个磁体(54)；至少一个梯度线圈(50)，用于借助梯度场操纵由所述至少一个磁体(54)产生的磁场；和遮蔽该至少一个磁体(54)的真空容器(70)，其中该真空容器(70)进一步包括：非金属材料制成的内圆筒(74)，在该至少一个梯度线圈(50)运行期间在该非金属材料中涡流显著减少，其中该内圆筒(74)包括形成有环形凸缘(76)的第一半部(78)和第二半部(80)；和非金属材料制成的外圆筒(72)，在该至少一个梯度线圈(50)运行期间在该非金属材料中涡流显著减少。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||