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一种半导体装置及其制造方法,此半导体装置具有选择性形成全金属矽化物(FUSI)闸极的简单结构。根据一方面,提供一种半导体装置包括第一场效电晶体(MOSFET)及第二场效电晶体。第一场效电晶体包括第一闸极、第一绝缘层与第一侧壁。第一闸极位于半导体基底上的闸绝缘膜上,且由第一金属矽化物层所形成。第一绝缘层与第一闸极邻接。第一侧壁包括第一绝缘层。第二场效电晶体包括第二闸极、第二绝缘层与第二侧壁。第二闸极位于半导体基底上的闸绝缘膜上,且由包括多晶矽层和第二金属矽化物层的导体膜所形成。第二绝缘层与第二闸极邻接。第二侧壁包括第二绝缘层。 |
