发明名称 闪存单元阵列、排列集成电路的方法
摘要 本发明提供闪存单元阵列、排列集成电路的方法。其中一排成多行和多列的闪存单元阵列包括:一第一行,包含多个单元。所述多个单元的每个包含多个闪存单元,一擦除栅极,一源极线,一字线,以及一局部控制栅极线。该擦除栅极线连接该第一行所有闪存单元的多个擦除栅极。该源极线连接该第一行所有闪存单元的多个源极节点。该字线连接该第一行所有闪存单元的多个字线节点。该局部控制栅极线只连接一单元内多个闪存单元的多个控制栅极,而在该第一行上的每条所述多条局部控制栅极线彼此互不相连。该阵列还包括多条位线,各自连接相同列上多个闪存单元的多条位线节点。
申请公布号 CN101178935A 申请公布日期 2008.05.14
申请号 CN200710105082.6 申请日期 2007.05.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 池育德
分类号 G11C16/04(2006.01);G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/04(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈晨
主权项 1.一种排成多行和多列的闪存单元阵列,该阵列包括:一第一行,包含多个单元,其中,所述多个单元中的每个包含:多个闪存单元;一擦除栅极线,连接该第一行上的所有所述多个闪存单元的多个擦除栅极;一源极线,连接该第一行上的所有所述多个闪存单元的多个源极节点;一字线,连接该第一行上的所有所述多个闪存单元的多个字线节点;以及一局部控制栅极线,连接该单元内所述多个闪存单元的多个控制栅极,其中,在该第一行上,每条局部控制栅极线互不相连;以及多条位线,连接相同列上多个所述多个闪存单元的多个位线节点。
地址 中国台湾新竹市