半导体集成电路器件

摘要

半导体集成电路器件包括P型衬底。N沟道MOS晶体管、P沟道MOS晶体管、以及MOS型变抗器元件提供在P型衬底的上表面中。MOS型变抗器元件的栅极绝缘膜薄于N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管的栅极绝缘膜。同样，施加在MOS型变抗器元件的阱端子和栅极端子之间的最大栅极电压低于施加到N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管的最大栅极电压。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：第一导电类型半导体衬底；MOS晶体管，设置在所述衬底中，包括第一栅极绝缘膜；以及MOS型电容器元件，设置在所述衬底中，所述MOS型电容器元件包括第二栅极绝缘膜、栅极电极和阱，其中所述第二栅极绝缘膜、所述栅极电极和所述阱形成电容，所述第二栅极绝缘膜的厚度薄于所述MOS晶体管的所述第一栅极绝缘膜中最薄的栅极绝缘膜。