发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 一个目标是提供一种以低成本制造之具极佳再生性的半导体装置。一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:于一基底上形成一第一电极;于该基低及该第一电极上形成一绝缘层;针对该绝缘层印压一铸模以便于该绝缘层中形成一开口;将该铸模与其中形成该开口的该绝缘层分离;使其中形成该开口的该绝缘层硬化以便形成一隔墙;于该第一电极及该隔墙上形成一发光层;及于该发光层上形成一第二电极。该绝缘层包含热固性树脂材料或光可硬化树脂材料。该隔墙具有20至50°之横截面锥角,且其顶部及底部的边缘为圆形的。
申请公布号 TW200810583 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096120548 申请日期 2007.06.07
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 藤井照幸
分类号 H05B33/00(2006.01) 主分类号 H05B33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本