| 发明名称 | 形成电感器的方法以及半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。 | ||
| 申请公布号 | CN100341112C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200510001865.0 | 申请日期 | 2005.01.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·C·埃德尔斯坦;P·C·安德里卡科斯;J·M·科特;H·德利吉安尼;J·H·梅格莱因;K·S·彼得拉尔卡;K·J·施泰因;R·P·沃朗 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L29/00(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01F17/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种形成电感器的方法，依次包括：(a)提供半导体衬底；(b)在所述衬底的上表面上形成介质层；(c)在所述的介质层中形成下沟槽；(d)在所述介质层的上表面上形成抗蚀剂层；(e)在所述抗蚀剂层中形成上沟槽，所述上沟槽与所述下沟槽对准，所述上沟槽的底部开口到所述下沟槽；以及(f)用导体完全填充所述下沟槽并至少部分地填充所述上沟槽，以形成所述电感器。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||