CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器包括光电二极管区和逻辑区，光电二极管区包括复位晶体管与光电二极管，光电二极管具有第一极与第二极，第一极具有环绕场氧化区下方及侧壁的掩埋区，以及至掩埋区上端向复位晶体管方向延伸的针形区。相应，CMOS图像传感器的制造方法包括：形成限定场区和有源区的沟槽；形成掺杂区；在沟槽及掺杂区的下方注入第一杂质离子形成光电二极管的第一极的掩埋区及针形区；在沟槽内填入硅氧化物质形成场氧化区；在第一极的上方注入第二杂质离子形成光电二极管的第二极。本发明的掩埋区将光电二极管的节与场氧化区底部和边缘隔离，从而消除了场氧化区底部和边缘可能存在的暗电流，针形区由于没有被场氧化区覆盖，而对光具有极高的敏感度。

主权项

1、一种CMOS图像传感器，包括光电二极管区和逻辑区，所述光电二极管区包括场氧化区以及有源区，在所述有源区上形成有复位晶体管与光电二极管，所述复位晶体管具有阱区、栅极、源漏极，所述光电二极管具有第一极与第二极，其特征在于：所述第一极具有环绕场氧化区下方及侧壁的掩埋区，以及至掩埋区上端向复位晶体管方向延伸的针形区。