发明名称 以纠错码存储器构成的具有冗余功能的半导体存储器设备
摘要 一种半导体存储器设备包括:被配置为并行输入/输出第一数据和第二数据的存储器,其中第一数据是预定数目的位的全部或一部分,第二数据由校正这预定数目的位的差错所必需的多个位组成;被配置为响应于提供到存储器的地址信号而提供冗余切换信息的单元;以及位于存储器和输入/输出节点之间的控制单元,其具有将输入/输出节点的给定位耦合到存储器的第一数据的相应位的第一路径和将输入/输出节点的给定位耦合到存储器的第二数据的预定位的第二路径,并且被配置为响应于冗余切换信息而选择并使能第一路径和第二路径之一。
申请公布号 CN101042938A 申请公布日期 2007.09.26
申请号 CN200610086436.2 申请日期 2006.06.21
申请人 富士通株式会社 发明人 江渡聪
分类号 G11C29/00(2006.01);G11C29/24(2006.01) 主分类号 G11C29/00(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 宋鹤
主权项 1.一种半导体存储器设备,其特征在于包括:被配置为并行输入/输出第一数据和第二数据的存储器,所述第一数据是由为2的正整数次幂的预定数目的位组成的数据的全部或一部分,所述第二数据由校正由所述预定数目的位组成的数据的差错所必需的多个位组成;被配置为响应于提供到所述存储器的地址信号而提供冗余切换信息的冗余切换信息提供单元;以及位于所述存储器和数目等于所述第一数据的位数的输入/输出节点之间的冗余控制单元,该冗余控制单元具有将所述输入/输出节点的给定位耦合到所述存储器的第一数据的相应位的第一路径和将所述输入/输出节点的给定位耦合到所述存储器的第二数据的预定位的第二路径,并且被配置为响应于所述冗余切换信息而选择并使能所述第一路径和所述第二路径之一。
地址 日本神奈川县