| 发明名称 |
Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1713121(A3) |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
| 申请号 |
EP20060117426 |
申请日期 |
1999.08.31 |
| 申请人 |
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. |
发明人 |
FALSTER, ROBERT, J. |
| 分类号 |
H01L21/762;C30B15/00;H01L21/02;H01L21/322;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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