| 主权项 |
1.一种半导体元件封装体,包含: a.一导线框,其含有: i.源极垫; ii.在该源极垫的周边至少两个源极导线; iii.相邻于该源极垫并且与其电气绝缘之闸极垫; 和 iv.在该闸极垫的周边之闸极导线; b.一耦合在该源极垫和该闸极垫的晶片;和 c.一耦合在该导线框并与其电气绝缘的加强肋。 2.如申请专利范围第1项的半导体元件封装体,其中 该加强肋包含一铜嵌条。 3.如申请专利范围第1项的半导体元件封装体,其中 该加强肋是以提供电气绝缘之聚醯亚胺胶带耦合 在该导线框。 4.如申请专利范围第2项的半导体元件封装体,其中 该加强肋包含一铜嵌条。 5.如申请专利范围第4项的半导体元件封装体,包含 至少三个源极导线。 6.一种制造半导体元件封装体的方法,该方法包含: 提供一导线框,其含有: a.源极垫; b.在该源极垫的周边至少两个源极导线; c.相邻于该源极垫并且与其电气绝缘之闸极垫;和 d.在该闸极垫的周边之闸极导线; 翻覆一包含多数焊料凸块之凸块晶片于该等源极 与闸极垫上; 回焊该焊料凸块;且 将一加强肋连接至该导线框,其中该加强肋系和该 导线框电气绝缘。 7.如申请专利范围第6项的方法,进一步包含: 进行雷射切割; 测试该半导体元件封装体;和 将该半导体封装体放置在卷轴上的胶带上。 8.如申请专利范围第6项的方法,其中该测试包含在 进行雷射切割之前隔离该闸极垫与试验条状物。 9.如申请专利范围第6项的方法,进一步包含在流回 该些焊料凸块之后,进行底层充填涂布与固化。 10.如申请专利范围第9项的方法,其中该测试包含 在进行雷射切割之前隔离该闸极垫与试验条状物 。 11.一种半导体元件,包含: a.含有第一与第二表面的导线框; b.耦合在该第一表面的晶片;和 c.耦合在该第二表面并与其电气绝缘的加强肋。 12.如申请专利范围第11项的半导体元件,其中该加 强肋是以提供电气绝缘之聚醯胺胶带耦合在该导 线框。 13.如申请专利范围第11项的半导体元件,其中该加 强肋包含一铜嵌条。 14.一种制造半导体元件的方法,该方法包含: 提供包含一第一表面与一第二表面的导线框; 将一加强助连接至该导线框,其中该加强肋系和该 导线框电气绝缘; 以焊料将一晶片耦合在该第一表面;和 回焊该焊料。 图式简单说明: 第1图是依据本发明用于金属氧化物半导体场效电 晶体装置之封装配置的底部透视图; 第2图是在第1图中说明的其上贴附一晶片之封装 配置的底部透视图; 第3图是说明于第1图中之封装配置的部份分解图 式; 第4图是说明于第1图中之封装配置的顶部透视图; 第5图是一凸块晶片之侧截面图式。 |
