| 发明名称 | 一种半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包含：一基板；第一和第二栅极结构位于该基板上，该第一和第二栅极结构由小于约0.25微米的缺口所分隔；一氮化硅层位于该栅极结构和该缺口之上；一掺杂氧化层位于该氮化硅层之上；及一未掺杂氧化层位于该掺杂氧化层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN1996559A | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200710006221.X | 申请日期 | 2002.12.12 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 阿杰·M·乔希;贝·曼·阿格尼丝·额;詹姆斯·A·施廷纳特;乌萨马·达杜;贾森·里吉斯 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，该半导体器件包含：一基板；第一和第二栅极结构位于该基板上，该第一和第二栅极结构由小于约0.25微米的缺口所分隔；一氮化硅层位于该栅极结构和该缺口之上；一掺杂氧化层位于该氮化硅层之上；及一未掺杂氧化层位于该掺杂氧化层之上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||