| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，其中限定有源区和器件隔离区；光电二极管区域，其形成于所述有源区中，并包括第一区域和第二区域，其中在所述第一区域中注入第一导电类型的杂质离子和第二导电类型的杂质离子，在所述第二区域中注入第一导电类型的杂质离子；以及晶体管区域，其形成于所述有源区，其中在所述晶体管区域中形成第一导电类型的杂质扩散区。 | ||
| 申请公布号 | CN1992309A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170178.6 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，其中限定有源区和器件隔离区；光电二极管区域，其形成于所述有源区中，并包括第一区域和第二区域，其中在所述第一区域中注入第一导电类型的杂质离子和第二导电类型的杂质离子，在所述第二区域中注入第一导电类型的杂质离子；以及晶体管区域，其形成于所述有源区，其中在所述晶体管区域中形成晶体管和第一导电类型的杂质扩散区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||