发明名称 | 低温多晶矽薄膜元件、低温下直接沈积多晶矽薄膜的制程方法及其所应用之电感耦合式电浆化学气相沈积设备 | ||
摘要 | 一种低温多晶矽薄膜元件、低温下直接沈积多晶矽薄膜的制程方法及其所应用之电感耦合式电浆化学气相沈积设备,其乃利用高密度电浆与基材偏压可诱发结晶的方式,致使多晶矽材料在低温下结晶为多晶矽薄膜;再者,更利用具有优选方向及晶格常数与矽相近的诱发层,促使多晶矽薄膜之原子结构朝向规则排列,进而提高多晶矽薄膜的结晶品质与减少孕核层厚度。 | ||
申请公布号 | TW200715374 | 申请公布日期 | 2007.04.16 |
申请号 | TW094135976 | 申请日期 | 2005.10.14 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 彭逸轩;黄志仁;王亮棠;张荣芳;翁得期 |
分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许世正 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |