| 主权项 |
1.一种用来管制间隔物沈积之系统,包含: 至少一个间隔物沈积组件,该等间隔物沈积组件工 作而将间隔物沈积在晶圆(4、22、1104、920)的一部 分上; 间隔物沈积组件控制器,用以控制该等至少一个间 隔物沈积组件; 光线导引系统,用以将光线导引到该晶圆的该部分 ,并收集自该晶圆(4、22、1104、920)的该部分反射的 光线(904、914、942); 量测系统(6、50),用以根据自该晶圆(4、22、1104、 920)的该部分所反射的光线(904、914、942),而量测与 所沈积的间隔物(120)相关联之一个或多个厚度参 数;以及 在作业上耦合到该量测系统(6、50)及该间隔物沈 积控制器之处理器(14),其中该处理器(14)自该量测 系统(6、50)接收与所沈积的该间隔物(120)相关联之 所量测资料,将所量测的资料与所储存的可接受间 隔物厚度値比较,而分析所量测的资料,而经由该 间隔物沈积控制器来决定该等至少一个间隔物沈 积组件的必要调整,以便有助于管制该晶圆(4、22 、1104、920)的该部分上的以及各晶圆(4、22、1104、 920)的后续部分上的间隔物沈积。 2.如申请专利范围第1项之系统,其中该量测系统(6 、50)进一步包含散射量测系统(51),用以处理自该 等一个或多个间隔物沈积区(120)反射的光线(904、 914、942)。 3.如申请专利范围第1项之系统,其中该处理器(14) 可进一步工作,而产生与对间隔物沈积后的制程之 控制相关联的一个或多个値。 4.如申请专利范围第3项之系统,其中该间隔物沈积 后的制程是蚀刻。 5.如申请专利范围第1项之系统,其中该处理器(14) 采用非线性训练系统,用以协助决定间隔物沈积之 调整。 6.如申请专利范围第1项之系统,其中该处理器(14) 进一步包含回授控制系统,用以协助管制间隔物沈 积。 7.一种用来管制间隔物沈积之方法,包含下列步骤: 将晶圆(4、22、1104、920)界定为具有一个或多个部 分,其中系将间隔物(80)沈积在该等一个或多个部 分上; 将光线(902、912、940)导引到在该等一个或多个部 分上沈积的间隔物(80); 收集自该等一个或多个部分上沈积的间隔物(80)反 射之光线(904、914、942); 量测反射的光线(904、914、942),以便决定该等一个 或多个部分中的间隔物厚度、间隔物均匀性、及 间隔物覆盖率中之至少一项; 将该反射光线(904、914、942)与已知间隔物厚度値 、已知间隔物均匀性値、及已知间隔物覆盖率値 中之至少一项相关联的一个或多个识别标志比较, 而分析该反射光线(904、914、942);以及 调整一个或多个间隔物沈积组件,以便管制间隔物 沈积。 8.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含下列步 骤:利用散射量测系统(51)来处理该反射光线(904、 914、942)。 9.如申请专利范围第8项之方法,包含下列步骤:至 少部分根据自该散射量测系统(51)接收的资料,而 调整一个或多个间隔物沈积组件。 10.一种用来管制间隔物沈积之方法,包含下列步骤 : 将晶圆(4、22、1104、920)分成复数个格子区块; 利用一个或多个间隔物沈积组件将间隔物(80)沈积 在该晶圆(4、22、1104、920)上,其中每一间隔物沈积 组件在功能上对应于个别的格子区块; 决定该晶圆(4、22、1104、920)的各部分上的间隔物 厚度,其中每一部分对应于个别的格子区块;以及 根据与该晶圆(4、22、1104、920)的个别格子区块相 关联之所决定的该间隔物厚度,而协调对该等间隔 物沈积组件之控制。 图式简单说明: 第1图是根据本发明的间隔物沈积监视系统之方块 示意图。 第2图是根据本发明的间隔物沈积监视系统之方块 示意图。 第3图是半导体结构的横断面示意图,其中已在该 半导体结构上制造出若干细微结构,且在根据本发 明的一概念而形成之各细微结构之间有间隔。 第4图是第3图所示之半导体接受沈积制程以便根 据本发明而在该结构上保形地沈积间隔物层之示 意图。 第5图是第4图所示结构在该结构上保形地形成间 隔物层之后的横断面示意图。 第6图是第5图所示结构根据本发明而对该间隔物 层进行蚀刻之横断面示意图。 第7图是第6图所示结构在根据本发明的一概念而 完成该蚀刻之后的横断面示意图。 第8图是基材之透视图,该基材具有根据本发明而 在该基材上沈积之间隔物。 第9图是间隔物厚度量测値之代表性三维格子图, 且系根据本发明而在该格子图的各格子区块上取 得该等间隔物厚度量测値。 第10图是与第9图所示间隔物厚度量测値相关的间 隔物厚度量测値表,该表中具有根据本发明的该等 间隔物厚度量测値之所需値。 第11图示出根据本发明的一概念而收集反射光之 例示散射量测系统。 第12图是用来实施本发明的一个特定方法之流程 图。 第13图是根据本发明一概念自表面反射的入射光 之透视简图。 第14图是根据本发明一概念自表面反射的入射光 之透视简图。 第15图示出根据本发明的一概念当入射光导引到 表面时所产生的复杂之反射及折射光。 第16图示出根据本发明的一概念当入射光导引到 表面时所产生的复杂之反射及折射光。 第17图示出根据本发明的一概念当入射光导引到 表面时所产生的复杂之反射及折射光。 第18图示出根据本发明的一概念当入射光导引到 表面时由所产生的复杂之反射及折射光所记录之 相位及强度信号。 |
