发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung ist so aufgebaut, dass eine hochspannungsfeste Halbleitervorrichtung (101) und Logikschaltungen (201, 301) auf einem einzigen Chip integriert sind und dass eine hochspannungsfeste Hochpotentialinsel (402), die die hochptentialseitige Logikschaltung (301) enthält, unter Verwendung mehrfacher Trennwände getrennt sind, die sie einschließen. Die Halbleitervorrichtung ist mit einem Mehrgrabentrennbereich (405) versehen, der einen Pegelschiebeverdrahtungsbereich (404) aufweist, der verwendet wird, um die hochpotentialseitige Logikschaltung (301) mit der hochpotentialseitigen Elektrode (703) der hochspannungsfesten Halbleitervorrichtung (101) zu verbinden.
申请公布号 DE102006029499(A1) 申请公布日期 2007.01.18
申请号 DE20061029499 申请日期 2006.06.27
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K. 发明人 SHIMIZU, KAZUHIRO
分类号 H01L21/76;H01L27/04 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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