使用氯制造积体电路内之沟渠介电层

摘要

于基底隔离沟渠(134)之蚀刻前，形成掺入氯之垫氧化层(110)于一矽基底(120)上。当一第一氧化矽衬层(150.1)以热制程形成于该沟渠表面上时，该氯可以增加沟渠顶端角落之圆角化(140C)。掺有氯之一第二氧化矽衬层(150.2)以化学气相沉积方式沉积于第一衬层(150.1)之上，接着，一第三衬层(150.3)以热制程成长形成。控制第二榇层(150.2)之氯浓度与三榇层(150.1、150.2、150.3)之厚度，以改善角落之圆角化程度，而不至于过度损耗主动区域(140)。