发明名称 |
FORMATION D'UN MASQUE SUR UN CIRCUIT ELECTRONIQUE INTEGRE |
摘要 |
Un procédé permet de former un masque sur un circuit électronique intégré, au dessus d'une cavité (C) créée en profondeur dans un substrat (100) du circuit. Pour cela, une surface du substrat (S) présente un enfoncement (E) au dessus de la cavité. L'enfoncement est rempli d'un matériau (10) sélectionné pour atténuer une réflexion d'un rayonnement lithographique (F1) sur la surface du substrat. Une couche de résine (3) est déposée sur le circuit puis exposée au rayonnement de sorte que des portions de résine situées au dessus de l'enfoncement et décalées par rapport à l'enfoncement reçoivent des quantités de rayonnement respectivement inférieure et supérieure à un seuil de développement de la résine. Un masque de gravure est alors obtenu sur le circuit, qui est aligné par rapport à la cavité.
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申请公布号 |
FR2887074(A1) |
申请公布日期 |
2006.12.15 |
申请号 |
FR20050005883 |
申请日期 |
2005.06.09 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS (CROLLES) 2 SAS SOCIETE PAR ACTIONS SIMPLIFIEE;COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
BUSTOS JESSY;THONY PHILIPPE;CORONEL PHILIPPE |
分类号 |
H01L21/027;H01L23/552 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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