发明名称 |
一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法 |
摘要 |
一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法,属于电子材料技术领域,涉及氧化物电极与PZT薄膜生长取向的薄膜电容的制备。首先采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO底电极;然后采用射频磁控溅射法在LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜;接着采用直流磁控溅射法在PZT铁电薄膜上沉积Pt上电极;最后对PZT薄膜进行快速晶化处理。本发明制备的PZT铁电薄膜材料中,LNO和PZT同为(110)取向,PZT剩余极化达23.5μC/cm<SUP>2</SUP>-35.8μC/cm<SUP>2</SUP>,矫顽场达76.3kV/cm-120kV/cm,电滞回线形状饱和;LNO底电极表面光滑,颗粒均匀;PZT薄膜介电常数达200-570,损耗为5%-45%,经过10<SUP>8</SUP>次反转,饱和极化和剩余极化分别只下降6%和12%,抗疲劳特性高于Pt底电极的PZT薄膜,漏电流密度达10<SUP>-9</SUP>A数量级,可用于薄膜电容器、铁电存储器等。 |
申请公布号 |
CN1851039A |
申请公布日期 |
2006.10.25 |
申请号 |
CN200610020876.8 |
申请日期 |
2006.05.23 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
张树人;张洪伟;黄文;刘敬松 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下顺序步骤:步骤1)、采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO底电极薄膜;步骤2)、采用射频磁控溅射法在步骤1)所得的LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜;步骤3)、采用直流磁控溅射法在步骤2)所得的PZT铁电薄膜上沉积Pt金属上电极薄膜;步骤4)、快速晶化处理PZT薄膜。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |