| 发明名称 | 多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。 | ||
| 申请公布号 | CN1848365A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200510119279.6 | 申请日期 | 2005.11.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑世镇;金治宇;郑义振;金东范 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);B23K26/00(2006.01);C30B28/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：将激光束辐射到非晶硅薄膜的第一部分，以使所述非晶硅薄膜的第一部分液化，所述非晶硅薄膜的第一部分位于基板的第一端部上；使液化硅晶化以形成硅晶粒；将所述激光束在第一方向上从所述基板的第一端部向与所述第一端部相对的第二端部移动一间隔；以及将所述激光束辐射到与所述硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的第二部分上，以形成第一多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||