半导体元件的制造方法及用于调整元件通道区之晶格距离的方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，其系先于基底上形成数个闸极结构。然后，于各个闸极结构侧边之基底中形成对应之源极区与汲极区。之后，于基底上形成自行对准金属矽化物阻挡层，覆盖闸极结构与裸露的基底表面。接着，进行回火制程，且在进行回火制程时，自行对准金属矽化物阻挡层会产生张应力，而使得位于闸极结构下方之基底受到张应力。继之，移除部分的自行对准金属矽化物阻挡层，而裸露出一部分的闸极结构与部分的基底表面。随后，进行自行对准金属矽化物制程。