| 发明名称 | 形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SOI(绝缘体上硅)结构与其制造方法，其中应变硅层(12)直接位于绝缘体层(14)上。该方法需要在应变诱发层(22)上形成硅层(12)，其中应变诱发层(22)具有与硅不相同的晶格常数，使得由于与应变诱发层(22)之晶格失配而硅层(12)会有应变。由此形成的多层结构(18)接合到基底(24)上，使得绝缘层(14)在应变硅层(12)与基底(24)之间，而且使得应变硅层(12)直接接触到绝缘层(14)。然后去除掉应变诱发层(22)，而产生应变的SOI之结构(10)，该结构包括直接位于绝缘层(14)上的应变硅层(12)，其中硅层(12)内的应变由SOI结构(10)保持。 | ||
| 申请公布号 | CN1254849C | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN02807649.4 | 申请日期 | 2002.03.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | K·里姆 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上硅结构(10)，包括直接在绝缘层(14)上的应变硅层(12)，其中应变硅层(12)是在拉伸应变下，并且所述拉伸应变由所述绝缘层保持，所述拉伸应变不是由所述绝缘层诱发的并且所述应变硅层不与应变诱发层接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||