| 发明名称 |
Method of activating polysilicon gate structure dopants after offset spacer deposition |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG120975(A1) |
申请公布日期 |
2006.04.26 |
| 申请号 |
SG20040000566 |
申请日期 |
2004.02.04 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
QUEK ELGIN;BENISTANT FRANCIS |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;H01L31/0328;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/425 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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