高密度软式电路板制法

摘要

本发明高密度性软性电路板制法，尤指一种可应用于单面板、双面板式或多层复合板式之电路板制法，其中系于基板侧面上的铜箔层影像移转手段形成开口后，以电浆处理手段于绝缘基板上相对于开口处进行钻孔步骤，提供后续二相邻隔离之铜箔层间进行互连导通步骤之用，藉此，利用该电浆钻孔手段，使其于钻孔的同时，且对钻孔产生的胶渣进行清除之作用，免除用因碳渣产生而需再进行表面清洁之步骤，即可直接进行铜电镀之线路互连步骤，以达到缩短电路板制程时间，进行提高产能，且对电路板板面提供表面调质之作用，达到产品物性及化性之要求。

主权项

1.一种高密度软式电路板制法,其主要包括以下步 骤: 取用两侧面分别压合有第一铜箔层及第二铜箔层 之双面铜箔树脂基板,该第一铜箔层之厚度小于第 二铜箔层之厚度; 以影像移转手段于基板一侧厚度较薄之第一铜箔 层形成图案化之开口; 以电浆处理手段于基板相对于开口处设盲孔; 以影像移转手段对基板使第二铜箔层形成图案化 之线路;以及 以蚀刻手段去除基板一侧之第一铜箔层,保留第二 铜箔层形成之线路,完成单面板式电路板之制作。 2.如申请专利范围第1项所述之高密度软式电路板 制法,其中于基板一侧之第一铜箔层形成图案化之 开口使用之影像移转手段主要系利用光阻涂布于 第一铜箔层上,并对第一铜箔层施以曝光显影、蚀 刻,以及去除光阻步骤,使第一铜箔层形成图案化 的开口。 3.如申请专利范围第1或2项所述之高密度软式电路 板制法,其中对基板上之第二铜箔层形成图案化线 路使用之影像移转手段主要系以光阻涂布于基板 两侧的第一、第二铜箔层上,并对第二铜箔层施以 曝光显影、蚀刻,以及去除光阻步骤,使第二铜箔 层形成图案化的线路。 4.一种高密度软式电路板制法,其主要包括以下步 骤: 取用两侧面分别压合有第一铜箔层及第二铜箔层 之双面铜箔树脂基板; 以影像移转手段于基板一侧之第二铜箔层形成图 案化之开口; 以电浆处理手段于基板相对于开口处设盲孔; 以铜电镀手段形成附着于第一、第二铜箔层表面 以及经由开口连接于第一、第二铜箔层之间的电 镀铜层;以及 以影像移转手段对基板使第一、第二铜箔层形成 互连的图案化线路,完成双面板式电路板之制作。 5.如申请专利范围第4项所述之高密度软式电路板 制法,其中于铜电镀步骤前,先对板面施以碳黑表 面处理,以利电镀铜层之附着。 6.如申请专利范围第4项所述之高密度软式电路板 制法,其中于铜电镀步骤前,先对板面施以化学铜 表面处理,以利电镀铜层之附着。 7.如申请专利范围第4、5或6项所述之高密度软式 电路板制法,其中于基板一侧之第二铜箔层形成图 案化之开口所使用之影像移转手段,主要系利用光 阻涂布于第二铜箔层上,并对第二铜箔层施以曝光 显影、蚀刻,以及去除光阻步骤,使第二铜箔层形 成图案化的开口。 8.如申请专利范围第4、5或6项所述之高密度软式 电路板制法,其中基板使第一、第二铜箔层形成互 连的图案化线路使用之影像移转手段主要系利用 以光阻涂布于基板两侧的第一、第二铜箔层及开 口,并对第一、第二铜箔层施以曝光显影、蚀刻, 以及去除第一、第二铜箔层之光阻,使第一、第二 铜箔层形成互连的图案化线路。 9.如申请专利范围第7项所述之高密度软式电路板 制法,其中基板使第一、第二铜箔层形成互连的图 案化线路使用之影像移转手段主要系利用以光阻 涂布于基板两侧的第一、第二铜箔层及开口,并对 第一、第二铜箔层施以曝光显影、蚀刻,以及去除 第一、第二铜箔层之光阻,使第一、第二铜箔层形 成互连的图案化线路。 10.一种高密度软式电路板制法,其主要包括以下步 骤: 取用两侧面分别压合有第一铜箔层及第二铜箔层 之双面铜箔树脂基板; 以影像移转手段于基板一侧之第二铜箔层形成图 案化之开口; 以电浆处理手段于基板相对于开口处设盲孔; 以铜电镀手段形成附着于第一、第二铜箔层表面 以及经由开口连接于第一、第二铜箔层之间的电 镀铜层; 以影像移转手段对基板使第一、第二铜箔层形成 互连的图案化线路,制成一内板层; 于该内层板之第一层线路、第二层线路上分别覆 设可塑性绝缘层; 依序于其一绝缘层(含)以上压合铜箔层,对铜箔层 施以影像移转手段形成图案化开口,以电浆处理手 段对绝缘层相对于开口处形成盲孔,以铜电镀手段 形成自外侧铜箔层连接内板层线路之电镀铜层,以 影像移转手段形成令外侧铜箔层图案化线路;以及 以机械钻孔手段设贯穿孔及铜电镀导通各层线路 之步骤,而构成一具有多层互连线路之多层复合板 式电路板。 11.如申请专利范围第10项所述之高密度软式电路 板制法,其中于铜电镀步骤前,先对板面施以碳黑 表面处理,以利电镀铜层之附着。 12.如申请专利范围第10项所述之高密度软式电路 板制法,其中于铜电镀步骤前,先对板面施以化学 铜表面处理,以利电镀铜层之附着。 13.如申请专利范围第10、11或12项所述之高密度软 式电路板制法,其中令基板之铜箔层形成图案化之 开口所使用之影像移转手段,主要系包括以光阻涂 布于铜箔层上,对铜箔层施以曝光显影、蚀刻,以 及去除光阻步骤,使铜箔层形成图案化的开口。 14.如申请专利范围第10、11或12项所述之高密度软 式电路板制法,其中于二铜箔层间形成互连的图案 化线路使用之影像移转手段主要系包括以光阻涂 布于基板两侧的铜箔层及开口,并对铜箔层施以曝 光显影、蚀刻,以及去除铜箔层上之光阻,使二铜 箔层形成互连的图案化线路。 15.如申请专利范围第13项所述之高密度软式电路 板制法,其中于二铜箔层间形成互连的图案化线路 使用之影像移转手段主要系包括以光阻涂布于基 板两侧的铜箔层及开口,并对铜箔层施以曝光显影 、蚀刻,以及去除铜箔层上之光阻,使二铜箔层形 成互连的图案化线路。 图式简单说明: 第一图A~H系本发明应用于制造单面板式电路板之 流程示意图(代表图)。 第二图A~H系本发明应用于制造双面板式电路板之 流程示意图。 第三图A~M系本发明应用于制造多层复合板式电路 板之流程示意图。 第四图A~G系习用制造单面板式电路板之流程示意 图。 第五图A~J系习用制造双面板式电路板之流程示意 图。 第六图A~N系习用制造多层复合板式电路板之流程 示意图。