| 主权项 |
1.一种高频半导体装置,包含: 一半导体基体,其具有有一主动区域形成于一表面 上; 一接地板,其系连接至接地电位,且实质上完全覆 盖该半导体之该表面; 一电源导体,其系被设置于该接地板之上,一绝缘 层系被设置于其之间,该电源导体系连接至电源电 压及该主动区域;及 一线导体,其系被设置于该电源导体之上,一绝缘 中间层系被设置于其之间;其中: 该线导体与该接地板或者该电源导体结合来形成 一高频传输线;及 在该线导体与该接地板与该电源导体中之一者之 间的电容系比在该接地板与该电源导体之间的电 容小。 2.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该绝缘层系由具有比该绝缘中间层之介电常数 高之介电常数的材料制成。 3.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该绝缘层系由与该绝缘中间层之材料相同的材 料制成,而且具有比该绝缘中间层之厚度小的厚度 。 4.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,数个线导体系被设置作为数个层,该等绝缘中 间层系被设置于其之间。 5.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该线导体系被设置作为一在该绝缘中间层之上 的单一层。 6.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该电源导体具有一实质上与该接地板之形状相 同的平面形状。 7.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该电源导体系采取接地线的型式被设置。 8.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该电源线导体系采取平面的型式来被设置于该 半导体基体之表面之被选择的区域上。 9.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其 中,该电源导体系采取栅的形式来被设置。 10.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置, 其中: 数个电源导体系被设置作为数个各电气地与被设 置于其之间之绝缘层分隔的层;及 该等电源导体中之一者系被设置于该接地板之上, 该等绝缘层中之一者系被设置于其之间。 11.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置, 其中,数个电源导体系被设置;及 该等电源导体系彼此电气地分隔而且系平面地置 放于该半导体基体上。 12.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置, 其中: 数个接地板系沿着该半导体基体之厚度方向来被 置放;及 该电源导体系躺卧于该等接地板中之至少一者之 上,该绝缘层系被设置于其之间。 图式简单说明: 第1图是为显示习知之立体多层MMIC的剖视图; 第2图是为显示本发明之原理的剖视图; 第3图是为显示本发明第一实施例之立体MMIC的剖 视图; 第4图是为显示在第3图中所示之立体MMIC的平面图; 第5图是为显示本发明第二实施例之立体MMIC的平 面图; 第6图是为显示本发明第三实施例之立体MMIC的平 面图; 第7图是为显示本发明第四实施例之立体MMIC的平 面图; 第8图是为显示本发明第五实施例之立体MMIC的剖 视图;及 第9图是为显示本发明第六实施例之立体MMIC的平 面图。 |
