成膜方法及热处理装置

摘要

本发明之课题系提供一种成膜方法，其系可形成防止杂质渗透之绝缘层，其解决之手段系在于：在表面上形成有由SiO2膜或SiON膜所成的基底膜(base)之多枚被处理体W上成膜，在按特定间隔分隔多段收纳多枚被处理体之处理容器中，多次反覆交互式供给原料气体和氨气，该原料气体为选自由二氯矽烷、六氯二矽烷及四氯矽烷所成之群的任一者，并在低制程温度下于基底膜上积层薄的矽氮化膜的方式成膜。藉此，改善积层矽氮化膜之膜质，大幅度抑制杂质之渗透。