基于A1材料的掺铜金属布线工艺

摘要

本发明是一种基于Al金属布线的工艺，其主要特点是：利用物理淀积的方法，在同一台设备中连续淀积Ta、TaN、Ta、Al、TaN等多层薄膜，其中，Al金属中加入Cu和Si原子，以提高Al金属布线的抗电迁移能力。在Al层下面为复合阻挡层，可防止Al和Cu向硅片和介质中的扩散，Al金属层的淀积采用低温和高温两步法淀积。低温淀积的Al籽晶层具有良好的致密性，高温淀积Al层具有较高的、填孔性和回流效果。在Al金属层上面的TaN层，可以作为阻挡层，作为顶部覆盖层和光刻的抗反射层。这种基于Al的布线工艺，可以适用于目前Al金属布线的大规模集成电路生产线。

主权项

1、一种基于Al金属的布线工艺，其特征在于利用物理淀积的方法，在同一台设备中依次连续淀积Ta、TaN、Ta、Al、TaN多层薄膜，具体步骤为：(1)首先淀积一层Ta阻挡层；(2)在Ta层上面淀积一层TaN阻挡层；(3)接着淀积一层Ta阻挡层；(4)再淀积Al层，Al淀积是用含Cu和Si的金属靶，采用低温和高温两步法淀积；(5)在Al层上面淀积一层TaN阻挡层；(6)Al金属回流。