半导体雷射装置

摘要

本发明揭示一种边缘发射型650nm波段红色半导体雷射装置，其包含具有一作用层在一半导体基板上之一共振器结构。在该共振器结构之一发射边缘表面上有一低反射三层膜，而在该共振器结构之一后边缘表面上有一高反射多层膜。该低反射三层膜之形成系藉由一喷溅方法在该发射边缘表面按顺序堆叠厚度为10nm的一第一Al2O3膜、厚度为190nm的一Si3N4膜及厚度为10nm的一第二Al2O3膜。该发射边缘表面上之边缘反射率系设定为10%。该高反射多层膜之形成系藉由在该后边缘表面上交替堆叠Al2O3膜及a-Si膜。该半导体雷射装置(包含在该发射边缘表面上具有良好的化学及热稳定性以及良好的抗化学腐蚀性之低反射膜)可抑制在该发射边缘表面处出现的灾变性光学损伤，从而实现长时间的稳定操作。

主权项

1.一种边缘发射型半导体雷射装置,其包括:具有一对边缘表面的一共振器,在其中一发射边缘表面上有一低反射多层膜;其中该低反射多层膜包含一第一介电膜,导热率高于该第一介电膜的一第二介电膜及导热率低于该第二介电膜的一第三介电膜。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该第一介电膜之成分系选自由Al2O3、ZrO2、HfO2及AlN所组成之群组中的一种。3.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该第二介电膜之成分系选自由Si3N4、AlN、GaN及SiC所组成之群组中的一种。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该第三介电膜之成分系选自由Al2O3、ZrO2、HfO2及SiO2所组成之群组中的一种。5.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该第一介电膜之厚度为5nm至100nm,而该第二介电膜之厚度则为50nm至400nm。6.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该第一介电膜为具有一厚度范围从5nm至100nm的一Al2O3膜,而该第二介电膜为具有一厚度范围从50nm至400nm的一Si3N4膜。图式简单说明:图1A之典型平面图为依据本发明之一项具体实施例的一半导体雷射装置,其表示形成于该半导体雷射装置之一发射边缘表面的一低反射三层膜及形成于该半导体雷射装置之一后边缘表面的一高反射多层膜之组态;图1B为沿图1A之线I至I的一断面图;图2A为依据该相关技术之具有一Al2O3/Si3N4膜(Si3N4层:最外表面侧)的一LD边缘表面;以及图2B为依据本发明之具有一Al2O3/Si3N4/Al2O3膜(Al2O3层:最外表面侧)的一LD边缘表面。