| 主权项 |
1.一种奈米线阵列之制造方法,包含:提供一基板;形成一绝缘层于该基板上;利用旋转涂布形成一金属触媒层于该绝缘层上;利用旋转涂布形成一遮盖层于该金属触媒层上;图案化该遮盖层,该图案化之遮盖层露出该金属触媒层;蚀刻露出之该金属触媒层,以形成图案化之该金属触媒层;及形成复数条奈米线于该图案化之金属触媒层之间。2.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该绝缘层系选自由二氧化矽(SiO2)以及矽氮化物(SixNy)所构成之群组之其中之一。3.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该绝缘层系由化学气相沉积法形成。4.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中利用旋转涂布形成该金属触媒层于该绝缘层上的步骤包含:准备包含一金属触媒之一涂布液;将该涂布液以旋转涂布的方式(SOG)覆盖于该基板上;及对该基板进行烘乾。5.如专利范围第4项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该涂布液的包含矽氧化合物(TEOS)。6.如专利范围第4项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该涂布液包含一含碳溶液。7.如专利范围第6项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该含碳溶液系异丙酮。8.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该金属触媒系选自由金、银、铂以及钛所构成之群组之其中之一。9.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该金属触媒系选自由金合金、银合金、铂合金以及钛合金所构成之群组之其中之一。10.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该金属触媒之材料系为金。11.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中利用旋转涂布形成该遮盖层于该金属触媒层上的步骤包含:准备一遮盖层涂布液;将该遮盖层涂布液以旋转涂布的方式(SOG)覆盖于该金属触媒层上;及对该基板进行烘乾。12.如专利范围第11项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该遮盖层涂布液包含矽氧化合物(TEOS)。13.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中形成复数条奈米线于该图案化之金属触媒层之间的步骤包含:利用该金属触媒层的金属触媒作为催化剂在400℃以上反应以形成复数条奈米线。14.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该基板系为一矽晶圆。15.如专利范围第1项所述之奈米线阵列之制造方法,其中该奈米线系选自由矽、磷化镓以及磷化铟所构成之群组之其中之一。图式简单说明:第1A图至第1F图描述本发明奈米线阵列一实施例之制造流程。 |
