| 发明名称 | 晶体硅的制作方法和使用晶体硅的开关器件 | ||
| 摘要 | 一种制作晶体硅层的方法，包括在具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层；通过把激光束照射到第二区域的半导体层上而形成至少一个凹形对准键；使用该至少一个对准键对第一区域的半导体层进行结晶处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1601700A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN200410062536.2 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 金荣柱 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00;H01L21/324;H01L21/336;G02F1/136;G09G3/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种制作晶体硅层的方法，包括：提供具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板；在该基板上形成非晶硅半导体层；把激光束照射到第二区域中的半导体层上，从而形成至少一个凹形对准键；和使用该至少一个对准键对第一区域中的半导体层进行结晶处理。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||