发明名称 | 金属内连线制程及清除金属矽化物层之方法 | ||
摘要 | 一种金属内连线制程,其系首先提供已形成有介电层之基底,且介电层上已形成有含矽罩幕层。接着图案化介电层以形成开口。之后在含矽罩幕层之表面以及开口内形成金属黏着层,然后在开口内填入金属层。随后进行热制程,以使金属黏着层与含矽罩幕层反应,而形成金属矽化物层。之后,移除部分金属层,直到金属矽化物层暴露出来。接着,利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸之混合液移除金属矽化物层之后,再移除含矽罩幕层,直到介电层暴露出来。利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸之混合液可以有效移除金属矽化物层,且不会对金属层造成伤害。 | ||
申请公布号 | TW200511496 | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
申请号 | TW092124837 | 申请日期 | 2003.09.09 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈天送;陈逸男;黄志涛 |
分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |