发明名称 双重金属镶嵌制程
摘要 一种双重金属镶嵌(Dual Damascene)制程。本发明之双重金属镶嵌制程至少包括以下步骤。首先,先在介电层(包括由下往上堆叠之第一介电层与第二介电层)中定义介层窗(Via)图形。接着,形成一负光阻层填入此介层窗中并覆盖第二介电层。接着,形成一正光阻层覆盖负光阻层。接着,在正光阻层中定义出沟渠(Trench)之图形。接着,去除部分之负光阻。接着,于第二介电层中蚀刻出沟渠图形。然后,剥除剩余之正光阻与负光阻。
申请公布号 TW200507163 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW092121220 申请日期 2003.08.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡维恭;蔡伯岳
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号