相容于SRAM界面的DRAM的延迟读取/储存模式

摘要

本发明是有关于一种内部式执行外部初始化存取动态内存阵列，而该陈列包括需要周期性更新的多个动态记忆体存格的方法，该方法包括：第一，确定该动态内存阵列是否已经启动；第二，插入一读写待机时间的等待期，其中该读写待机时间是为列存取时间以及列预充电时间的总和。并且候待更新是于读写待机时间当中进行。候待写入存取得于读写待机时间当中进行。最后，在读写待机时间后，再将外部的存取于动态内存阵列内进行内部式执行的方法和电路。

主权项

1.一种相容于静态随机存取记忆体(SRAM)界面的动态随机存取记忆体(DRAM)，尤指一种内部式执行外部初始化存取动态记忆体阵列，而该阵列包括需要周期性更新的多个动态记忆体存格的方法，该方法包括：-确定该动态记忆体阵列是否已经启动；-等待一读写待机时间，其中该读写待机时间是为列存取时间以及列预充电时间的总和，并且候待更新是于读写待机时间当中进行；以及，-在读写待机时间后，内部式执行外部存取该动态记忆体阵列。