发明名称 半导体集成电路及其复原方法
摘要 在成为电源切断对象的电路块(110)中,在两系统的电源线(141、143)上,在电源端子(140、142)的附近分别配置电压检测电路(130、134),在距离所述电源端子(140、142)远的规定位置分别配置电压检测电路(132、136)。这些电压检测电路只由MOS晶体管构成。当从电源供给电路150再投入电源时,在所述全部各电压检测电路中,检测到电源电压达到设定电位后,复原信号发生电路(160)解除向电路块(110)的复原信号的输入。所以,当电源电压成为设定电压后,就解除了复原状态,因此可以正常地进行半导体电路的初始化,由此,提供可以适当地发生通电复原信号的半导体集成电路。
申请公布号 CN1565079A 申请公布日期 2005.01.12
申请号 CN02819478.0 申请日期 2002.11.20
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 冈本稔;丸井信一;冈林和宏
分类号 H03K17/22;G06F1/24 主分类号 H03K17/22
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1.一种半导体集成电路,其特征在于,具备:持有至少一个系统的电源线,从该电源线向内部具有的多个半导体元件供给电源的电路块;在所述电源线的规定位置上连接所述电源线,并且当该电源线的所述规定位置上的电位为设定电位时,输出规定电位的电压检测信号的多个电压检测机构。
地址 日本大阪府