发明名称 Verfahren und System zur Herstellung von dynamischen Speichern (DRAM) mit reduziertem Strombedarf für die Selbstauffrischung
摘要 Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und ein System zur Reduzierung des Strombedarfs für die Selbstauffrischung in einem DRAM. Ein DRAM-Chip wird in eine Anzahl von Segmenten unterteilt. Der gesamte DRAM-Chip wird bei der Herstellung getestet, um die Abnahmeraten für jede Zelle im DRAM festzustellen. Für jedes Segment wird die Auffrischungsrate entsprechend der schnellsten Abnahmerate für eine DRAM-Zelle in diesem Segment ausgewählt. Der DRAM ist konfiguriert, um Speicherzellen während einer Selbstauffrischung mit unterschiedlichen Auffrischungsraten für unterschiedliche Segmente aufzufrischen. Die Auffrischungsperiode wird für einzelne Segmente unter Verwendung von Techniken wie programmierbaren Logikschaltungen oder Schmelzverbindungen so gesteuert, dass bestimmte Zyklen zur Selbstauffrischung für die Segmente übersprungen werden, die in der Lage sind, bei niedrigeren Auffrischungsraten zu arbeiten. Auf diese Weise kann die Auffrischungsperiode in Segmenten des Speichers mit starken Speicherzellen reduziert werden, wodurch zu ziehender Strom gespart werden kann.
申请公布号 DE102004016148(A1) 申请公布日期 2004.11.04
申请号 DE200410016148 申请日期 2004.04.01
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 POECHMUELLER, PETER
分类号 G11C11/406;(IPC1-7):G11C11/406 主分类号 G11C11/406
代理机构 代理人
主权项
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