双位元漂浮闸细胞元结构及其无接点快闪记忆阵列

摘要

一种双位元漂浮闸快闪记忆细胞元结构至少包含一个闸区形成于一个共源区及一个共汲区之间。该闸区至少包含一对漂浮闸藉由一对第二侧边墙介电垫层来定义及一个选择闸介电层形成于该对漂浮闸之间。该共源／汲区至少包含一个共源／汲扩散区或一对分离源／汲扩散区藉由介于一对第一侧边墙介电垫层之间的一个浅凹槽隔离区所分隔。一个字线形成于一个闸间介电层之上系至少形成于该对漂浮闸及该选择闸介电层之上。基于上述之双位元漂浮闸细胞元结构之共源／汲扩散区及隔离源／汲扩散区，两种不同的无接点快闪记忆阵列分别组成。