发明名称 |
具有应力吸收膜之晶圆级封装方法 |
摘要 |
一种具有应力吸收膜之晶圆级封装方法,在一铜箔上形成一感光型B阶介电层,在形成该介电层之开孔后,将B阶导电胶形成于该些开孔,贴附该具有铜箔之感光型B阶介电层至该晶圆,使得该些B阶导电胶对应于该些焊垫,并热固化该感光型B阶介电层与该B阶导电胶,使其具有低模数及低于30℃之玻璃转移温度,以构成一热固性高分子材料应力吸收膜,能在热循环测试温度范围内,处于橡胶态足以吸收应力。而该铜箔系被蚀刻为凸块接垫,以该应力吸收膜缓冲该些凸块接垫上之凸块应力,达到全应力吸收之晶圆级封装。 |
申请公布号 |
TW200411789 |
申请公布日期 |
2004.07.01 |
申请号 |
TW091138207 |
申请日期 |
2002.12.31 |
申请人 |
百慕达南茂科技股份有限公司;南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号 |
发明人 |
锺卓良;郭秀湲;蔡润波;黄铭亮 |
分类号 |
H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
|
代理人 |
张启威 |
主权项 |
|
地址 |
英国 |