| 发明名称 | 电子器件及其制造方法、溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件由：由金属氧化物构成的第一电极、与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极构成；在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。 | ||
| 申请公布号 | CN1508615A | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN200310123124.0 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 后藤裕史;钉宫敏洋;中井淳一;富久胜文 |
| 分类号 | G02F1/1362;G02F1/136;G09F9/30;H01L29/786 | 主分类号 | G02F1/1362 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种电子器件，由以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||