| 主权项 |
1.一种具有通式(R1SiO3/2)x(HSiO3/2)y之矽酮树脂,其中R1为具有8至24个碳原子之烷基;x之値为0.05至0.7;y之値为0.3至0.95,且x+y=1。2.根据申请专利范围第1项之矽酮树脂,其中R1为具有8至24个碳原子之分支链烷基,且在该烷基链上之侧位置中含有一个吸电子基团(electron-withdrawing group)。3.根据申请专利范围第1项之矽酮树脂,其中R1系为选自辛基,氯辛基,三甲基矽氧烷基十六烷基,十八烷基,二十二烷基,3,7,11,15-四甲基-3-羟基-十六烷基,3,7,11,15-四甲基-3-甲氧基-十六烷基,4-庚基-4-乙氧基癸基,及3,7-二乙基-3-羟基-十二烷基及其混合物。4.根据申请专利范围第1项之矽酮树脂,其中x之値为0.1至0.3:y之値为0.7至0.9,且x+y=1。5.一种制备矽酮树脂之方法,其包括(I)在(C)溶剂(D)水及(E)水解触媒之存在下,化合(A)具通式R1SiX3之矽烷及(B)具通式HSiX3之矽烷;其中R1为具有8至24个碳原子之烷基,且各X系为选自可水解基团或羟基(II)于可形成具通式(R1SiO3/2)x(HSiO3/2)y之矽酮树脂之温度下使该组合物(1)反应充份时间,其中R1为具有8至24个碳原子之烷基;x之値为0.05至0.7;y之値为0.3至0.95,且x+y=1。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中R1系为选自辛基,氯辛基,三甲基矽氧烷基十六烷基,十八烷基,二十二烷基,3,7,11,15-四甲基-3-羟基-十六烷基,3,7,11,15-四甲基-3-甲氧基-十六烷基,4-庚基-4-乙氧基癸基,及3,7-二乙基-3-羟基-十二烷基及其混合物。7.根据申请专利范围第5或6项之方法,其中X为烷氧基。8.根据申请专利范围第5或6项之方法,其中以该(A)及(B)之含量为基准计,A之使用量在14至20莫耳%范围内;以该(A)及(B)之含量为基准计,(B)之使用量在80至86莫耳%范围内;以该(A)及(B)总重量为基准计,(C)之使用量在70至90重量%范围内;(D)之使用量是每莫耳(A)及(B)中之X为0.8至1.5莫耳(C)范围内;且(E)之使用量是每莫耳(A)及(B)为0.1至0.3莫耳范围内。9.根据申请专利范围第5或6项之方法,其中(C)系为选自至少一种下述溶剂:饱和脂肪族溶剂,环脂族溶剂,芳香族溶剂,环状醚溶剂,酮溶剂,经卤素取代之烷烃溶剂,卤化芳香族溶剂,酯溶剂,矽酮溶剂及其混合物。10.一种制备孔状陶瓷之方法,其包括:(I)于足以固化该矽酮树脂之温度下,加热具通式(R1SiO3/2)x(HSiO3/2)y之矽酮树脂,其中R1为具有8至24个碳原子之烷基;x之値为0.05至0.7;y之値为0.3至0.95,且x+y=1;(II)于足以自该已固化树脂移除R1基团之温度下,进一步加热该已固化树脂,藉以形成孔状陶瓷。11.一种在基材上制造孔状涂层之方法,其包括:(I)以具通式(R1SiO3/2)x(HSiO3/2)y之矽酮树脂涂布该基材,其中R1为具有8至24个碳原子之烷基;x之値为0.05至0.7;y之値为0.3至0.95,且x+y=1;(II)于足以固化该矽酮树脂之温度下,在惰性大气中加热该已固化基材;(III)于足以自该已固化树脂涂层移除R1基团之温度下,在惰性大气中进一步加热该已固化树脂涂层,藉以在该基材上形成孔状涂层。12.根据申请专利范围第10或11项之方法,其中该R1系选自辛基,氯辛基,三甲基矽氧烷基十六烷基,十八烷基,二十二烷基,3,7,11,15-四甲基-3-羟基-十六烷基,3,7,11,15-四甲基-3-甲氧基-十六烷基,4-庚基-4-乙氧基癸基,及3,7-二乙基-3-羟基-十二烷基及其混合物。 |
