发明名称 |
具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管 |
摘要 |
提供一种双扩散场效应晶体管及其形成方法。该方法首先提供第一导电类型的衬底(300)。接着,将第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面,以致衬底具有不均匀的杂质分布。在衬底上形成第一导电类型的外延层(304),在外延层内形成一个或多个第二导电类型的体区(316)。然后在体区内形成多个第一导电类型的源区(340)。最后,形成与体区相邻的栅极区。 |
申请公布号 |
CN1503990A |
申请公布日期 |
2004.06.09 |
申请号 |
CN02807518.8 |
申请日期 |
2002.03.21 |
申请人 |
通用半导体公司 |
发明人 |
里查德·A·布兰查德 |
分类号 |
H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
主分类号 |
H01L29/76 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
谢丽娜;谷惠敏 |
主权项 |
1.一种形成双扩散场效应晶体管的方法,所述方法包括:提供第一导电类型的衬底;将所述第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面,以致衬底具有不均匀的杂质分布;在所述衬底上形成第一导电类型的外延层;在所述外延层内形成一个或多个第二导电类型的体区;在所述体区内形成多个所述第一导电类型的源区;以及邻近所述的一个或多个体区形成栅极区。 |
地址 |
美国纽约 |