发明名称 具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管
摘要 提供一种双扩散场效应晶体管及其形成方法。该方法首先提供第一导电类型的衬底(300)。接着,将第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面,以致衬底具有不均匀的杂质分布。在衬底上形成第一导电类型的外延层(304),在外延层内形成一个或多个第二导电类型的体区(316)。然后在体区内形成多个第一导电类型的源区(340)。最后,形成与体区相邻的栅极区。
申请公布号 CN1503990A 申请公布日期 2004.06.09
申请号 CN02807518.8 申请日期 2002.03.21
申请人 通用半导体公司 发明人 里查德·A·布兰查德
分类号 H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 主分类号 H01L29/76
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 谢丽娜;谷惠敏
主权项 1.一种形成双扩散场效应晶体管的方法,所述方法包括:提供第一导电类型的衬底;将所述第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面,以致衬底具有不均匀的杂质分布;在所述衬底上形成第一导电类型的外延层;在所述外延层内形成一个或多个第二导电类型的体区;在所述体区内形成多个所述第一导电类型的源区;以及邻近所述的一个或多个体区形成栅极区。
地址 美国纽约