分立基板的制造方法

摘要

本发明的任务是提供一种以具有低位错密度的分立基板为对象，可以方便地获得所需位错密度的制造方法。本发明所提供的解决方法是在制造平均位错密度在5000个/厘米²以下时的低位错密度的分立基板时，在一定范围内调整扩散前的原料晶片厚度并实施扩散。

主权项

1.一种硅半导体晶片的分立基板的制造方法，它由硅半导体晶片的一侧为扩散层Xj、另一侧为非扩散层Xi的两层结构构成，其非扩散层的平均表面位错密度在5000个/厘米2以下，其特征在于，对硅半导体晶片进行研磨加工，由于此时的加工变形所残存的扩散前的原料晶片厚度T(单位…μm)由下述的公式(1)表示：T＝2Xj+Xi+α …(1)通过满足构成分立基板时所需要的位错密度的方式，由位于80＜α≤930的范围内的公式(1)中的α值确定其预定的扩散前的原料晶片厚度，并对这一原料晶片实施扩散后，便可以获得由两层结构构成的、具有所需要的位错密度的分立基板。