光电变换装置

摘要

本发明能获得一种可提高开路电压的光电变换装置。该光电变换装置在第一非单晶半导体层及第二非单晶半导体层中至少任意一方的半导体层与第三非单晶半导体层的界面部分上，第三非单晶半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上垂直的方向上具有长径，在上述界面部分，所述一方的半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上平行的方向上具有长径。

主权项

1.一种光电变换装置，其特征在于，包括有主表面的基板、在所述基板的主表面上形成的第一导电型的第一非单晶半导体层、在所述基板的主表面上形成的第二导电型的第二非单晶半导体层、以及，在所述第一非单晶半导体层和所述第二非单晶半导体层之间形成的，实质上本征的第三非单晶半导体层，在所述第一非单晶半导体层及所述第二非单晶半导体层中至少任意一方的半导体层与所述第三非单晶半导体层间的界面部分上，所述第三非单晶半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上垂直的方向上具有长径，在所述界面部分，所述一方的半导体层所含的晶粒大多在与所述基板的主表面实质上平行的方向上具有长径。