| 主权项 |
1.一种相位移光罩制作方法,其中该光罩系由透明板、相移层与不透光层所构成,该方法至少包含:以相移层制作欲透光之部分;以及保留不透光层于不欲透光之部分上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之相位移光罩为三元修饰式相位移光罩(Attenuated Phase-Shift Mask)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之不透光层材质为铬。4.一种相位移光罩制作方法,其中该光罩系由透明板、相移层与不透光层所构成,该方法至少包含:确定曝光后预定暴露区域;决定光罩阻光区域;以相移层制作该预定暴露区域;以及保留不透光层于该阻光区域上。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之相位移光罩为三元修饰式相位移光罩(Attenuated Phase-Shift Mask)。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之不透光层材质为铬。图式简单说明:第一图为一具金属内连线图形的交替式相位移光罩配置图;第二A图为第一图中所示之相位移光罩的剖面图;第二B图为以第二A图所示之相位移光罩进行曝光时,晶圆上的受光幅度分布图;第二C图为以第二A图所示之相位移光罩进行曝光时,晶圆上的受光强度分布图;第二D图为以第二A图所示之相位移光罩进行曝光后之晶圆光阻图案;第三图为为一复数MOS电晶体与周边元件进行内连线连接时之布局图;第四图为本发明所使用之原始三元修饰相移式光罩的结构剖面图;第五图为利用原始三元修饰相移式光罩所形成之本发明光罩上视图;第六图为根据本发明实施例所形成之光罩由AA'线视入之剖面图;以及第七图为根据本发明实施例所形成之光罩由AA'线视入之剖面图。 |
