| 发明名称 | 具有沟道式电容器的动态随机存储器单元的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有沟道式电容器的DRAM单元的制造方法。本发明的目的在于简化DRAM单元的制造方法，保证高的效率并得到高的DRAM单元的存储密度。为此，DRAM单元的存储电容器(4)和选择场效应晶体管(3)彼此独立制造。电容器在第一区域(6)内制出。随后第二区域(10)通过直接晶片压焊或智能切割等本领域公知的技术以覆盖第一沟道(7)的方式布置在第一区域(6)上。通过直接晶片压焊方法或智能切割方法能够在第一区域(6)和第二区域(10)之间以简单的方式产生一个清晰限定的边界表面(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN1139982C | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
| 申请号 | CN00803978.X | 申请日期 | 2000.02.15 |
| 申请人 | 印芬龙科技股份有限公司 | 发明人 | 耶诺依·蒂豪尼 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种用于制造DRAM存储器单元的方法，其包括以下步骤：在第一导电型的第一区域内(6)制出第一沟道(7)，用第一绝缘层(8)涂着第一沟道(7)的表面并用第二导电型的导电材料(9)填充第一沟道(7)，第一区域(6)和第一沟道(7)内的导电材料(9)高度搀杂；将第一导电型的第二区域(10)布置在第一区域上以便覆盖第一沟道(7)；通过搀杂剂从第一沟道(7)内的导电材料(9)中扩散在第二区域(10)内制出第二导电型的区域(12)；蚀刻第一沟道(7)附近的相邻区域，以便从第二区域(10)的表面一直到第一区域(6)内的范围内除去半导体材料；用绝缘材料(13)填充相邻区域，以便在相邻的沟道之间产生绝缘体区域；在第二区域(10)的表面上制出由第二导电型导电材料构成的位线(1)和漏区(18)用于选择场效应晶体管；在第一区域内第一沟道上面的第二区域(10)内的第二沟道(14)内制出选择场效应晶体管(3)的栅极(17)；及在第二区域(10)未被覆盖的表面上制出由导电材料构成的字线(2)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||