半导体记忆基板组合区构造改良

摘要

一种半导体记忆基板组合区构造改良，主要系于基板上之适位处预设有可供作半导体晶片组合之组合区，其特征在于：该组合区系直接设为一开孔，且该开孔内缘至少设有一个以上之阶级部；藉该方便制成之组合区，令基板之不良率减少、提升平整度、确保品质、降低成本，并可大量制造及快速生产者。

主权项

1.一种半导体记忆基板组合区构造改良,主要系于基板上之适位处预设有可供作半导体晶片组合之组合区,其特征系在于:该组合区系直接设为一开孔,且该开孔内缘至少设有一个以上之阶级部。图式简单说明:第1图系习用基板之侧剖视图。第2图系第1图D部份之放大示意图。第3图系本创作实施例之剖视图。第4图系本创作实施例之组合示意图。第5图系本创作第二实施例之剖视图。第6图系本创作第二实施例之组合示意图。