| 发明名称 | 光学信息记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。 | ||
| 申请公布号 | CN1445767A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN03107320.4 | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西原孝史;児岛理惠;山田升 |
| 分类号 | G11B7/24;G11B7/26 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 钟守期;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种光学信息记录介质，是包含基板和信息层的光学信息记录介质，其特征为，前述信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||