高纯度自由基制程系统

摘要

一种高纯度自由基制程系统，包含电浆产生器、电浆过滤器及制程反应室。电浆产生器，产生具有离子与自由基之电浆。电浆过滤器，将电浆中之离子加以滤除，形成高纯度自由基电浆。制程反应室，利用上述之高纯度自由基电浆进行晶圆的表面处理，以避免离子轰击造成损害，并形成高品质的半导体元件。其中制程反应室使用旋转晶圆夹持器，使高纯度自由基电浆，更均匀的在晶圆表面进行反应。而电浆过滤器系由钝性材料所构成之至少一组前栅栏及后栅栏。

主权项

1.一种高纯度自由基制程系统,至少包含:一电浆产生器,产生制程所需之电浆,其中该电浆包含离子与自由基;一电浆过滤器,连接于该电浆产生器,用来将该电浆中之离子滤除,使该电浆形成高纯度自由基电浆;及一制程反应室,连接于该电浆过滤器之后,使用该高纯度自由基电浆进行一晶圆的表面处理。2.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之制程反应室更包含,一旋转晶圆夹持器具有旋转的功能,使该晶圆均匀的进行表面处理。3.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之表面处理包含,在该晶圆表面进行高纯度自由基氧化制程。4.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之表面处理包含,在该晶圆表面进行高纯度自由基氮化制程。5.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆产生器包含,电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance;ECR)。6.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆产生器包含,诱发耦合电浆(InductiveCoupled Plasma;ICP)。7.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤器包含,至少一组电浆过滤元件。8.如申请专利范围第7项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤元件包含,一前栅栏及一后栅栏。9.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤器之材料系为石英。10.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤器之材料系为石墨。11.如申请专利范围第1项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤器更包含一外加电场。12.一种高纯度自由基制程系统,系使用于超薄闸极介电层之制造,其中该高纯度自由基制程系统至少包含:一电浆产生器,产生包含离子与自由基之电浆;至少一电浆过滤元件,连接于该电浆产生器,系使用钝性材料所制造,用来将该电浆中之离子滤除,使该电浆形成高纯度自由基电浆,每一该电浆过滤元件包含一前栅栏及一后栅栏;及一制程反应室,连接于该电浆过滤元件之后,使用该高纯度自由基电浆进行一晶圆的表面处理,其中该制程反应室更包含,一旋转夹持器用来夹持该晶圆于制程中旋转,使该高纯度自由基电浆均匀的分布在该晶圆的表面。13.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之表面处理包含,在该晶圆表面进行高纯度自由基氧化制程。14.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之表面处理包含,在该晶圆表面进行高纯度自由基氮化制程。15.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆产生器包含,电子回旋共振(Electron CyclotronResonance;ECR)。16.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆产生器包含,诱发耦合电浆(Inductive Coupled Plasma;ICP)。17.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤元件的材料系为石英。18.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤元件的材料系为石墨。19.如申请专利范围第12项所述之高纯度自由基制程系统,其中上述之电浆过滤元件更包含一外加电场。20.一种高纯度自由基产生装置,系自一电浆产生器产生之电浆中,分离出高纯度自由基电浆,其中该高纯度自由基产生装置至少包含:至少一离子栅栏,位于该电浆流经之通道上,用来将该电浆中之离子滤除,使该电浆形成该高纯度自由基电浆,该离子栅栏系使用钝性材料所制造。21.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之离子栅栏包含一前栅栏及一后栅栏。22.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之高纯度自由基产生装置更连接一制程反应室,使用该高纯度自由基电浆进行一晶圆的表面处理,其中该制程反应室更包含,一旋转夹持器用来夹持一晶圆于制程中旋转,使该高纯度自由基电浆均匀的分布在该晶圆的表面。23.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之电浆产生器包含,电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance;ECR)。24.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之电浆产生器包含,诱发耦合电浆(Inductive Coupled Plasma;ICP)。25.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之离子栅栏之材料系为石英。26.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之离子栅栏之材料系为石墨。27.如申请专利范围第20项所述之高纯度自由基产生装置,其中上述之离子栅栏更包含一外加电场。图式简单说明:第一图为本发明之高纯度自由基制程系统之较佳实施例示意图;第二图为第一图中之本发明之较佳实施例之电浆产生及过滤器之示意图;及第三图为第二图中之本发明之较佳实施例之过滤器之原理说明示意图。