| 主权项 |
1.一种处理基板之装置,包含:一处理腔室其包括:一处理区段;以及一第一电浆产生区段,其系用于产生第一电浆场,该第一电浆场系于处理区段远端产生,第一电浆产生区段系与该处理区段连通。2.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含一个第二电浆产生区段其系用以产生第二电浆场,该第二电浆场系于该处理区段之远端产生。3.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含一个第三电浆产生区段其系用以产生第三电浆场,该第三电浆场系于该处理区段之远端产生。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一电浆产生区段包含一第一电极以及一第二电极,其系用于反应气相化学品俾产生第一电浆场。5.如申请专利范围第4项之装置,其进一步包含一电源耦合至该第一及第二电极,该电源系选自交流、直流、射频、及微波电源。6.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含至少一个进气口,其系用于对第一电浆产生区段供给气相化学品。7.一种处理半导体基板之装置,包含:一处理腔室;以及一电浆产生腔室,其系用以产生电浆场,该处理腔室及该电浆产生腔室包括一通道介于其间俾允许电浆场组成分由电浆产生腔室移动至处理腔室。8.如申请专利范围第7项之装置,其进一步包含一第二电浆产生腔室,其系用以产生第二电浆场,该处理腔室及该第二电浆产生腔室系配置成允许第二电浆场组成分由第二电浆产生腔室移动至处理腔室。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该电浆场组成分系由电浆产生腔室漂移至处理腔室。10.如申请专利范围第7项之装置,其中该电浆场组成分系由电浆产生腔室扩散至处理腔室。11.如申请专利范围第7项之装置,其中该电浆产生腔室包含第一电极及第二电极,其系用以反应气相化学物质俾产生电浆场;一电源耦合至各该第一及第二电极,该电源系选自交流、直流、射频及微波电源组成的组群。12.如申请专利范围第7项之装置,其进一步包含一个进气口,其系用以将气相化学品导入电浆产生腔室内部。13.如申请专利范围第7项之装置,其进一步包含一个进气口用以将处理气体导引入处理腔室内部。14.一种电浆产生方法,其包含:设置一腔室其包括第一电浆产生区段及处理区段;于第一电浆产生区段产生第一电浆场;以及移动第一电浆场之各组成分由第一电浆产生区段至处理区段。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该移动包含引导载气进入腔室内部用以致使各组成分漂移。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该移动包含允许各组成分扩散。17.如申请专利范围第14项之方法,其进一步包含:于第二电浆产生区段产生第二电浆场;以及移动第二电浆场之各组成分由第二电浆产生区段至处理区段。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该移动包含允许各组成分漂移或扩散。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该组成分包含用以产生第一电浆场之气相化学物质之基团、粒子及/或离子。20.如申请专利范围第14项之方法,其进一步包含将处理气体导引入处理区段用以与该组成分于基板表面反应。21.一种利用电浆来处理基板的方法,包含:于基板处理腔室之第一区段产生电浆;以及移动该电浆之各组成分至设置于处理腔室第二区段之基板上;该第一区段系远离第二区段。22.如申请专利范围第21项之方法,其进一步包含于处理腔室之第三区段产生电浆,该第三区段系远离第二区段。图式简单说明:第1图为典型CVD系统之示意图;第2图为根据本发明之代表性处理系统之具体实施例之说明图;第3图为根据本发明之处理腔室之简化示意图;第4图为第3图之处理腔室之具体实施例之崩溃电压-压力侧绘之线图;第5图为本发明之具体实施例之简化透视图;以及第6.7A、7B及8图为本发明之具体实施例之简化说明图。 |
