| 主权项 |
1.一种球栅阵列封装结构,其特征在于包含:一形成有多数晶片垫之半导体晶片;一具有着球点之基板;一与该晶片垫电气连接且安置于该着球点之粗纹状导电球;以及一供使该半导体晶片与该基板间之间隔维持一定之间隔维持构件。2.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件系被安装于该基板或是该半导体晶片上。3.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于还包含一中置于该半导体晶片与该间隔维持构件之间的黏着层。4.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件可拆掉与附着。5.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件之体积可因为热,而膨胀或收缩。6.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件为聚合球。7.如申请专利范围第6项之球栅阵列封装结构,其特征在于该聚合球之材质为环氧树脂系列树脂,或是聚醯亚胺系列树脂。8.如申请专利范围第6项之球栅阵列封装结构,其特征在于该聚合球被充填有空气、气体、水或是油等其中之一。9.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件为双金属。10.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件由一可附着与拆脱之型架,以及形成于该型架上之聚合球所组成。11.如申请专利范围第1项之球栅阵列封装结构,其特征在于该间隔维持构件由一可附着及拆脱之型架、以及形成于该型架上之双金属所组成。12.一种球栅阵列封装之制造方法,其包含以下步骤:一提供一形成有多数晶片垫之半导体晶片的步骤;一在该晶片垫上形成球形导电球之步骤;一提供一具有着球点之基板的步骤;一在该半导体晶片或基板上装设可膨胀之间隔维持构件之步骤;一将导电球构装至该着球点之步骤;以及一对前述半成品实施热处理而使间隔维持构件之体积膨胀而边使该球形导电球变形成粗纹状之步骤。13.如申请专利范围第12项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于还包含一在该半导体晶片或该基板,与该间隔维持构件之间,中置一黏着层之步骤。14.如申请专利范围第12项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该晶片垫系形成于该半导体晶片之边缘部位,该间隔维持构件系形成于该半导体晶片或该基板之中央部位。15.如申请专利范围第12项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该晶片垫系形成于该半导体晶片之中央部位,该间隔维持构件系形成于该半导体晶片或该基板之边缘部位。16.如申请专利范围第12项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该间隔维持构件为聚合球。17.如申请专利范围第16项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该聚合球之材质为环氧树脂系列树脂,或是聚醯亚按系列树脂。18.如申请专利范围第16项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该聚合球被充填有空气、气体、水或是油等其中之一。19.如申请专利范围第12项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该热处理系在200至250℃之温度下进行。20.如申请专利范围第12项之球栅阵列封装之制造方法,其特征在于该间隔维持构件为双金属。图式简单说明:图1为习知球栅阵列封装之截面图。图2为习知其它球栅阵列封装之截面图。图3为本发明之第一实施例所揭球栅阵列封装结构之截面图。图4为图3所示球栅阵列封装之第一制造步骤图。图5为图4所示封装之第二制造步骤图。图6为图4所示封装之第三制造步骤图。图7为图4所示封装之第四制造步骤图。图8为图3所示晶片垫形成于中央部位之半导体晶片之立体图。图9为图3所示球形聚合球之制作过程图。图10为图9所示球形聚合球之制作过程图。图11为图3所示晶片垫形成于边缘部位之半导体晶片立体图。图12为图11所示I-II截面之截面图。图13为一用以说明本发明之第二实施例所揭球栅阵列封装之图式。图14为一用以说明本发明之第三实施例所揭球栅阵列封装之图式。图15为图14所示球栅阵列封装之截面图。图16为一用以说明本发明之第四实施例所揭球栅阵列封装之图式。 |
